PATRIOT Signature 8GB DDR4 3200MHz DIMM CL22 12V

Patriot Signature 8GB DDR4 3200MHz — desempenho confiável para PC

Precisa melhorar o desempenho do seu computador desktop? O módulo de memória Patriot Signature Line com capacidade de 8 GB DDR4 oferece velocidade de 3200 MT/s (PC4-25600), garantindo a execução fluida de aplicativos de escritório, multimídia e jogos leves. Graças à baixa tensão de operação de 1,2 V, ele é eficiente em termos de energia e aquece menos, o que contribui para uma vida útil mais longa. Além disso, cada módulo é submetido a testes de qualidade 100%, o que garante confiabilidade e estabilidade.

Desempenho e economia

A memória opera com latência CAS 22 (22-22-22-52), o que significa um equilíbrio entre velocidade e estabilidade tanto em uso normal quanto em uso um pouco mais exigente. A arquitetura dual rank com chip em ambos os lados permite maior taxa de transferência de dados, o que você apreciará especialmente ao realizar multitarefas ou trabalhar com vários aplicativos simultaneamente. A tensão de 1,2V é padrão para a tecnologia DDR4 e reduz o consumo de energia, contribuindo para uma operação mais sustentável.

Compatibilidade e Instalação

Este módulo utiliza um design padrão UDIMM de 288 pinos, garantindo compatibilidade com a maioria das placas-mãe que suportam memória DDR4. É uma memória não-ECC sem buffer, ideal para plataformas de desktop comuns. Com uma configuração de 1×8GB, o módulo é facilmente expansível no futuro, caso você precise de maior capacidade.

Qualidade e Segurança Ambiental

Cada módulo Patriot Signature passa por rigorosos testes de qualidade para atender aos padrões da indústria e garantir uma longa vida útil. A memória possui certificação RoHS, o que significa que não contém substâncias nocivas e é segura para o meio ambiente.

Qualidade e Segurança Ambiental ### Dados técnicos

• Tipo de memória: DDR4 SDRAM
• Capacidade: 8 GB (1× 8 GB)
• Frequência: 3200 MT/s (PC4-25600)
• Latência: CAS 22 (22-22-22-52)
• Design: UDIMM de 288 pinos (Unbuffered Dual In-Line Memory Module)
• Arquitetura: dual rank, dupla face
• Tecnologia: não-ECC sem buffer
• Voltagem: 1,2 V
• Certificação: compatível com RoHS
• Peso do módulo: 23,5 g