Памет PATRIOT Signature 8GB DDR4 3200MHz DIMM CL22 12V

Patriot Signature 8GB DDR4 3200MHz — надеждна производителност за компютър

Трябва ли да подобрите производителността на вашия настолен компютър? Модулът памет Patriot Signature Line с капацитет 8 GB DDR4 предлага скорост от 3200 MT/s (PC4-25600), което осигурява безпроблемна работа на офис приложения, мултимедия и леки игри. Благодарение на ниското работно напрежение от 1,2 V, той е енергийно ефективен и се нагрява по-малко, което допринася за по-дълъг експлоатационен живот. Освен това, всеки модул е ​​подложен на 100% тестване за качество, което гарантира надеждност и стабилност.

Производителност и икономичност

Паметта работи с латентност CAS 22 (22-22-22-52), което означава балансирано съотношение между скорост и стабилност както при нормална, така и при малко по-взискателна употреба. Двуранговата архитектура с двустранно разположение на чиповете позволява по-висок пропусквателен капацитет на данните, което ще оцените особено при многозадачност или работа с множество приложения едновременно. 1.2V напрежение е стандартно за DDR4 технологията и намалява консумацията на енергия, допринасяйки за екологична работа.

Съвместимост и инсталация

Този модул използва стандартен 288-пинов UDIMM дизайн, осигуряващ съвместимост с повечето дънни платки, поддържащи DDR4 памет. Това е non-ECC небуферирана памет, която е идеална за често срещани настолни платформи. С конфигурация 1×8GB, модулът лесно може да се разширява в бъдеще, ако се нуждаете от по-голям капацитет.

Качество и екологична безопасност

Всеки модул Patriot Signature преминава през строги тестове за качество, за да отговаря на индустриалните стандарти и да гарантира дълъг експлоатационен живот. Паметта е сертифицирана съгласно директивата RoHS, което означава, че не съдържа вредни вещества и е безопасна за околната среда.

Технически данни

• Тип памет: DDR4 SDRAM
• Капацитет: 8 GB (1× 8 GB)
• Честота: 3200 MT/s (PC4-25600)
• Латентност: CAS 22 (22-22-22-52)
• Дизайн: 288-пинов UDIMM (Небуфериран Двоен Ин-Лайн Мемори Модул)
• Архитектура: двуранкова, двустранна
• Технология: не-ECC небуферирана
• Напрежение: 1.2 V
• Сертификация: Съответства на RoHS
• Тегло на модула: 23.5 g